ASML利用EUV曝光设备完成32nm分辨成像_光电实验室情报站fiberfocus

　　　　荷兰ASML公司利用面向工艺技术开发的EUV（超紫外线）曝光设备“Alpha Demo Tool”，完成了线宽与线间隔均为32nm的分辨成像以及32nm的密集接触孔(Contact hole)分辨成像（发布资料）。该公司在美国加利福尼亚州圣诺塞市举办的“SPIE Advanced Lithography 2007”上发表了上述成果。

　　Alpha Demo Tool是一种在量产工艺中使用的能够进行全区域(Full-field)曝光的EUV曝光设备。ASML在一年前的2006年2月举办的 “Microlithography 2006”上发表了利用该设备实现40nm线宽与线间隔图像及60nm微孔成像的结果。该公司已于2006年8月向比利时IMEC和美国Albany NanoTech公司交付该设备。另外，该公司表示现已获得3台试制用EUV设备的订单, 预定2009年交货。（记者：大西顺雄）

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