联华电子(UMC)日前宣布采用其0.13微米RFCMOS工艺技术，已制造出振荡频率为192GHz的双推式电压控制振荡器。192GHz创下了目前硅芯片最高振荡频率的纪录。此芯片由佛罗里达大学甘斯威尔分校电机计算机工程系所的硅微波集成电路与系统研究组所设计，该团队曾在2005年6月设计，并由联电制造出创下当时纪录的105GHz电压控制振荡器。
电压控制振荡器被广泛运用于几乎所有的射频与无线系统中。此类具有高频率的振荡器，例如这个由联华电子制造的192GHz电压控制振荡器，可能可使用于先进的远程遥测与尖端影像应用，以实现侦测化学物质、穿透布料侦测、穿透雾气与云层显像、以及侦测皮肤癌等应用。
振荡器能够在一般振荡频率下产生信号，并且可以扩展至两倍、三倍、四倍频率等等。然而， 在如此高频率情况下产生的信号，往往因太微弱而不具效用。至于双推式电压控制振荡器，由于其核心振荡频率为输出频率的一半，除了有更高的组件增益、可变电容外，电容器的Q值也提高，而传输线损失则降低，如此便可产生更强的信号。此电压控制振荡器的输出功率为将近-20dBm，其载波偏移10MHz处的相位噪声约为-100dBc/Hz，在供电电压为1.5V的耗电为11mA。
“联电经过验证的RFCMOS技术现已用于驱动广泛的先进无线应用产品。”联华电子系统架构支持部总工程师林子声先生表示，“佛罗里达大学这项最新的成果，展现了我们RFCMOS工艺技术，对于效能要求极高的设计产品是十分适合的。我们十分高兴与佛大共同实现了这项技术上的突破，并且期待将这些研究成果提供给主流射频设计公司。”
“特别令人振奋的地方在于我们采用了0.13微米工艺制造此电压控制振荡器，”佛罗里达大学Kenneth O教授表示，“在实验室里，我们也在测试以联华电子90纳米逻辑制程制造的140GHz一般电压控制振荡器。由此可以直接再发展到可产生大约280GHz信号的双推式电压控制振荡器。此外，若采用65纳米工艺，振荡频率应该可以达到350-400GHz。采用CMOS技术以产生太赫兹(THz)信号将是指日可待之事。”
